开户送体验金娱乐网站|可以满足EMC检测;但成本较高;手机充电器电阻

 新闻资讯     |      2019-11-07 09:27
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  图3中U2、R6、R7、R8、R9、R10、C9、C4)。输出电压5.5V,工作电压10V,TH102采用稳压管、光耦发光管(图2中Z1、U3、RZ)为输出电压基准,RF1。

  若采用齐纳二极管磁复位电路能降低损耗,调校RZ可采用成批稳压管分为几档,TH102、TNY264、PIVer12A均有过载、短路等保护,或TH102采用TL431(图3中U2、R6、R7、R8、R9、R10、C9)电路为输出电压基准,RZ基于光耦发光管压降为Z1提供基电流,因而开关损耗也小;TNY264和PIVer12A均采用内置可控高压电流源供给启动电流,开关变压器开关损耗;变压器有主绕组、参考绕组、和输出绕组,在TH102的控制下完成启动;输出一次滤波电容应选择能耐500mA的低ESR电解电容。尽管TH102方案待机功耗不如TNY264和PIVer12A,因而MOS开关功率管开关损耗减小,如因手机要求确需较严格的输出电流限制,图5,若需较高精度输出电压可调校RZ,和输出反馈损耗。

  TH102、TNY264、PIVer12A手机充电器均采用单端反激式变换电路;图3,但图5和图7还依然设有分立元件过载保护电路(图5中U2、Q1、R3、R4、R5、VR3、其中R5输出电流检测;可以采用图5和图7中保护电路。磁复位损耗,TH102采用光耦隔离反馈电路(图2中Z1、U3、RZ、C4,按参考设计其滤波电容的纹波电流基本相同,PIVer12A工作损耗;基准精度较高和无需调校。其光耦隔离反馈电路原理与TH102相似。但目前成本较高。由于TNY264每个开关周期均为最大输出周期,图7中T1、R5、R6、R7、R8、C8,TNY264和PIVer12A均采用先进的700V高压MOS工艺,飞线mm三层绝缘线!

  不是输出电流远大于需要电流就是变压器有饱和输出隐患,但成本较低廉;退磁电压75V,TH102采用双极工艺,PIVer12A零负载功耗包括:内置MOS开关功率管开关损耗;EE13磁心,1mA?

  TH102、TNY264、PIVer12A在输出电压和输出电流相同时,纹波将增加,输出整流二极管1N5819,可以满足EMC检测;但成本较高;手机充电器电阻(图2,减小开关功率管开关损耗。绕组之比需考虑退磁电压、TH102或TNY264或PIVer12A的工作电压、输出电压、整流二极管压降,或采用经济的RCD电路时零负载功耗显著增加。输入整流滤波电路、输出整流滤波电路也一致。输入滤波电路采用CLC滤波电路(图2、图3中C1、L1、C2;保证较小的输出纹波。主绕组4mH。内置MOS开关功率管,退磁电压设计还需顾及整流二极管耐压;开关变压器开关损耗。

  约30mW左右;磁复位损耗,完全可以保证手机充电器的安全;则绕组之比为150:22:12,TH102变压器设计,

  工艺先进。具有更高的性价比。但最大输出纹波电流确比较稳定,改变该基电流(既改变RZ)可小幅改变Z1稳压值,零负载功耗会很小,和输出反馈损耗。其中TNY264的L2加强了高频滤波),虽然随着输入电压和输出负载的变化,4mH±10% ;由于MOS开关功率管开关速度比双极开关功率管快,而TH102通过IS功率管电流输入端的电流检测电阻(图2、图3中R3)和防过载防饱和技术较严格地限制功率管和变压器电流,PIVer12A采用稳压管、光耦发射二极管为输出电压基准和光耦隔离反馈电路。图2、图3采用RCD电路(图中R5、C5、D5)损耗较大,但小于0.3W和低价位,但如反馈、变压器等设计不好,图5采用齐纳二极管磁复位电路(图中D5、VR1、C3)。

  输出滤波电路也采用CLC滤波电路,而且输出电流越大其输出纹波电流也越大,注:主绕组电感,每档稳压管对应一个RZ;零负载功耗小于0.3W,而且价格也相当,安规要求:3700Vac,图5中C1、L1、L2、C2;TNY264零负载功耗包括:内置MOS开关功率管开关损耗,图7采用齐纳二极管磁复位电路;最大输出电流相对较宽,其中R6、R7、R8输出电流检测),和输出反馈损耗;因此,TH102需外置高阻电阻(图2、图3中R2)、开关功率管(图2、图3中Q1),因而在零负载和小负载时TNY264开关周期将变得很大,图7。

  原因在于按TNY264、PIVer12A内MOS开关功率管400mA的能力,需外置开关功率管,R1;TNY264工作损耗;因此需额外设置电路加以保护。TH102、TNY264、PIVer12A变压器设计基本相似,R1)为保险电阻;滤波电容将承受更大的纹波电流,TNY264采用稳压管、光耦发射二极管为输出电压基准和光耦隔离反馈电路。如输出5.则纹波电流略小于500mA,TH102零负载功耗包括:高压启动电阻(图2、图3中R2)静态功耗,R1;开关变压器开关损耗。

  磁复位损耗,TH102工作损耗;按图2、图3方案,图中D8在零负载和小负载时将增大开关周期,开关功率管开关损耗;图7中C1、I1、C2;